Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 495 496 497 498 499 500 501... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 7.6. ПЭМ изображение BP
(поперечное сечение), показывающая двойникованные пластины кремния
толщиной 1,5...3 нм внутри нанокристаллита размером 25x45 нм. Ось зоны
U10]Si |
|
|
|
|
|
1,5...3 нм. Анализ дислокационной
структуры наноматериалов имеет особое значение в связи с тем, что
источники размножения дислокаций не могут существовать в материалах с
размером зерен менее 10 нм. Имеющиеся в литературе экспериментальные
данные по данному вопросу являются довольно ограниченными и
противоречивыми. Существование большого количества внутренних краевых
дислокаций в кристаллитах размером 5...15нм отмечалось при изучении
структуры пленок Ti—В—N с помощью ПЭМ BP [13]. При уменьшении наномасштаба
дислокации внутри нанокристаллитов, как правило, не наблюдаются, хотя на
границах раздела часто присутствуют дислокации несоответствия (рис.
7.2 и 7.5, а также ссылки [8, 12]). |
|
|
|
|
|
ПЭМ BP на поперечных срезах
К наноматериалам относятся не
только материалы с малым размером зерен, но и многослойные покрытия с
толщиной слоев от единиц до нескольких десятков нанометров. Многослойные
покрытия |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 495 496 497 498 499 500 501... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
|
|