Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 487 488 489 490 491 492 493... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ных исследований материалов.
Первые электронные микроскопы появились в 30-х годах XX в. в Англии и
Германии, а к середине 50-х гг. они уже широко использовались в
материаловедческих исследованиях. Прогресс в развитии ПЭМ был столь
быстр, что уже через 10 лет многие промышленные микроскопы были способны
различать отдельные колонны атомов в кристалле, что привело к
появлению термина «просвечивающая электронная микроскопия высокого
разрешения» (ПЭМ BP). В последние годы ПЭМ BP стала одним из основных
методов получения новых знаний о структуре материалов, о чем, в частности,
свидетельствует большое количество публикаций на эту тему в таких
ведущих международных научных журналах как Nature и Science.
Наблюдение наночастиц с помощью ПЭМ
BP
В последние годы большой интерес
вызывают многокомпонентные наноструктурные пленки, обладающие
уникальным комплексом физико-механических свойств. Эти объекты, как
правило, состоят из смеси нескольких кристаллических фаз, внедренных в
аморфную матрицу. Получение изображения с индивидуального кристаллита
является важной, но довольно трудной задачей. Средний размер
нанокристалли-тов обычно определяют или из полуширины дифракционных линий
на рентгенограмме с помощью формулы Дебая—Шеррера, либо по методу
темнопольных (ТП) изображений. Однако первый метод, особенно в случае
наноструктур, может приводить к значительным погрешностям вследствие
эффекта уширения дифракционных максимумов и их сложной формы. Это
связано с вкладом целого ряда факторов, таких как суперпозиция
дифракционных линий от нескольких фаз, присутствие на-нокристаллитов
переменного состава с различными параметрами кристаллической решетки,
наличие макро- и микронапряжений. Размер на-нокристаллитов, определенный
по методу ТП изображений, хорошо подтверждается прямыми наблюдениями
при проведении ПЭМ BP. Однако следует помнить, что в случае наноразмерного
масштаба порядка 1 нм и менее размер кристаллитов совпадает с размером
светлых областей на ТП изображении, соответствующих аморфному контрасту,
что не позволяет однозначно интерпретировать результаты. Размер этих
областей обычно составляет 0,5...1,5нм и зависит от величины
дефокусировки. Отметим, что в литературе нет однозначного ответа на
вопрос, какой материал, исходя из экспериментально полученных результатов,
действительно считать аморфным. Иногда для описания «аморфного»
состояния вещества |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 487 488 489 490 491 492 493... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
