Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 45 46 47 48 49 50 51... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
НОВЫТМАТЕРИАЛЫ TJ'
значительной мере определяется
достижениями в управлении состоянием ансамбля СТД в них
[4].
Дефектообразование в бездислокационных
монокристалах
Основную роль в образовании
«ростовых» микродефектов в выращиваемых монокристаллах играют СТД —
вакансии и межузельные атомы. В реальных условиях выращивания
монокристаллов, уже на достаточно малых расстояниях от фронта
кристаллизации возникают значительные пересыщения по СТД, обусловленные
резкой температурной зависимостью их равновесных концентраций в
алмазоподобных полупроводниках. Образующиеся избыточные неравновесные СТД
аннигилируют на стоках, в качестве которых выступают боковая
поверхность слитка и присутствующие в его объеме более
крупномасштабные дефекты, прежде всего, дислокации. По отношению к СТД
дислокации являются практически ненасыщаемыми стоками. С учетом
высокой подвижности СТД при высоких температурах сток на дислокации (при
достаточно высокой плотности последних в кристалле) играет основную роль в
снятии пересыщения. Однако бездислокационные монокристаллы лишены
такого рода эффективных внутренних стоков, а боковая поверхность слитка в
силу чисто диффузионных ограничений не может обеспечить снятия
пересыщения. В результате, в объеме кристалла образуются пересыщенные
твердые растворы СТД, которые в процессе посткристаллизационного
охлаждения распадаются с образованием специфических агрегатов, получивших
название «микродефекты». Следует отметить, что в литературе
отсутствует единая точка зрения по поводу определения понятия
«микродефект». Под этим термином мы будем понимать локальные
нарушения периодичности кристаллической решетки, представляющие
собой скопления точечных дефектов (собственных или примесных), не
нарушающие фазового состояния основного вещества, а также дисперсные
выделения второй фазы микронных и субмикронных размеров.
Другим источником ростовых
микродефектов могут быть легирующие и сопутствующие фоновые примеси, когда
их концентрация в выращиваемом монокристалле достаточна для
образования в процессе посткристаллизационного охлаждения (или при
последующей термообработке) пересыщенного примесного твердого раствора в
данном полупроводниковом материале. Характерными примерами в этом
отношении являются легирующие примеси в сильно легированных
полупроводниках, а также кислород в выращиваемых по методу Чохральского
монокристаллах кремния. Несмотря на то, что в данном случае
концентрация при- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 45 46 47 48 49 50 51... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
