Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 44 45 46 47 48 49 50... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ |
|
|
|
|
|
примесей, что в конечном итоге
может привести к существенному расширению возможностей управляемого
воздействия на свойства полупроводникового материала. С этой точки
зрения большой интерес представляют уже упоминавшиеся изовалентные
примеси, обладающие высокой растворимостью в соответствующих
полупроводниках и позволяющие эффективно воздействовать на спектр
энергетических уровней в их запрещенной зоне, на механические
свойства монокристаллов, на их термостабильность и радиационную
стойкость, на величину периода кристаллической решетки материала. К
числу перспективных нетрадиционных легирующих добавок относятся и
примеси редкоземельных элементов, необычные свойства которых привлекают к
ним в последние годы пристальное внимание исследователей. Можно
обоснованно предполагать, что в ближайшем будущем при получении
кристаллов с необходимым набором свойств все большее значение будут
приобретать методы сложного легирования с использованием как традиционных,
так и нетрадиционных легирующих примесей. |
|
|
|
|
|
Особенности
дефектообразования в бездислокационных и малодислокационных
монокристаллах
Достигнутый в последние годы
прогресс в получении бездислокационных и малодислокационных
монокристаллов важнейших полупроводников большого диаметра выдвинул
на передний план проблему особенностей дефектообразования в такого рода
структурно совершенных (с точки зрения существующих представлений)
средах, и прежде всего роли собственных точечных дефектов (СТД) в этих
процессах. Особую остроту этой проблеме придает переход микроэлектроники
на создание ультрасверхбольших интегральных схем (УСБИС) с
использованием технологий субмикронного уровня, требующих дальнейшего
существенного повышения качества (в первую очередь,
микрооднородности) используемых полупроводниковых материалов. Как
показывают исследования последних лет, именно микродефекты ростового
происхождения, содержащиеся в бездислокационных пластинах, оказывают
наиболее существенное влияние на рабочие характеристики
УСБИС.
Несмотря на очевидную
принципиальную сложность исследований в этом направлении, в настоящее
время мы располагаем убедительными экспериментальными данными,
позволяющими уверенно констатировать, что успех в создании
высококачественных монокристаллов и приборных структур с четко
прогнозируемыми и контролируемыми параметрами в |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 44 45 46 47 48 49 50... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
