Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 43 44 45 46 47 48 49... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Серьезные новые задачи возникают
и в оснащении все усложняющихся производств методами контроля
качества продукции, особенно в применении к пластинам. По мере увеличения
степени интеграции твердотельных электронных устройств все острее
ощущается потребность в новых высокоразрешающих, экспрессных,
высокоинформативных и автоматизированных бесконтактных методах
контроля, объективно характеризующих пригодность монокристаллов и
пластин для решения новых задач. Требования по количеству и размерам
присутствующих в монокристаллах и на поверхности пластин дефектов
ужесточаются с каждым годом, и возможности традиционных оптических и
электрофизических методов контроля уже практически исчерпаны.
Необходим переход на метрологию нового уровня, с использованием
возможностей сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии, а также
других современных методов контроля структуры и свойств с
субмикронным и нанометровым разрешением. При этом новые средства
контроля должны хорошо вписываться в идеологию создания гибких,
непрерывных, высокопроизводительных автоматизированных
технологических линий. Весьма актуальной становится и проблема
экспрессного контроля загрязнения поверхности пластин металлическими
примесями с чувствительностью на уровне ~108
ат/см2.
Для придания выращиваемым
монокристаллам тех или иных электрофизических параметров, необходимых
для успешного их использования в конкретных областях полупроводникового
приборостроения, применяются процессы легирования определенными
примесями. В настоящее время крут используемых в технологии важнейших
полупроводниковых материалов легирующих примесей достаточно
ограничен. Как правило, легирование осуществляется примесями,
образующими мелкие донорные и акцепторные уровни в запрещенной зоне,
соответственно у дна зоны проводимости или у потолка валентной зоны. При
этом удается управляемо воздействовать на тип проводимости и
концентрацию носителей заряда в полупроводнике. Иногда для легирования
используются примеси, образующие глубокие уровни в запрещенной зоне,
что позволяет воздействовать на диффузионную длину носителей заряда и
регулировать степень компенсации электрически активных центров в
легируемом материале.
В то же время, сегодня уже хорошо
известно, что введение тех или иных легирующих добавок позволяет
эффективно воздействовать на состояние ансамбля собственных точечных
дефектов (СТД) в кристаллах, на особенности поведения в них
дислокаций и сопутствующих |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 43 44 45 46 47 48 49... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
