электроники на основе кремния,
увеличить их мощность, степень интеграции и надежности, а также
уменьшить габариты создаваемых приборов и перейти к принципиально
новым технологиям электроники, например, к трехмерным модулям, повышающим
быстродействие ЭВМ новых поколений. Применение алмазных теплоотводов
основано на рекордно высокой теплопроводности алмаза (в 4—5 раз выше меди
и других известных материалов);
— детекторы и
дозиметры рентгеновского и ядерного излучения для биологии,
медицины и ядерной техники, способные работать на фоне мощного
радиационного поля в широком интервале энергий и дозы излучений, что
недостижимо для других видов материалов. Применение алмазных детекторов и
дозиметров основано на исключительно высокой радиационной стойкости и
сверхвысоких счетных характеристиках алмаза;
— оптические окна и
подложки для полупроводниковой техники. В этих алмазных изделиях
используется высокая прозрачность малоазотных алмазов в УФ, видимом и ИК
диапазонах, а также наивысшие из всех оптических материалов лучевая
прочность, теплопроводность и радиационная стойкость, позволяющие
использовать алмазы в качестве окон и зеркал для мощных лазеров, приборов
ночного видения и др., в том числе для работы в агрессивных средах и
радиационных полях, а также в области сверхвысоких давлений. Алмазные
наковальни в аппаратах сверхвысокого давления уже в настоящее время
позволяют производить эксперименты с различными веществами в мегабарном
диапазоне давлений. Сверхвысокотвердые вещества (СТВ),
синтезированные на основе фуллеренового сырья, позволяют расширить
диапазон исследований и применений СТВ в этих и других областях, в том
числе обработки природных алмазов и создания новых классов материалов
вообще;
— активные элементы
УФ-оптоэлектроники и сенсорики. Эти алмазные изделия являются
наиболее перспективными в коммерческом отношении. Используются в
области бытовой и промышленной электроники в виде широкой
номенклатуры приборов массового применения.
Во всех подобных устройствах и
приборах нужны алмазы с полупроводниковыми свойствами, которые могут
быть получены путем дозированного легирования (например бором).
Подобные кристаллы не должны быть зональными и секториальными. Одним
из ключевых этапов продвижения в этом направлении является снижение
концентрации азота в синтетических алмазах, попадающего в решетку
алмаза в процессе роста
кристалла.
