Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 42 43 44 45 46 47 48... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ |
|
|
|
|
|
очередь, присутствием в активной
области приборной композиции остаточных примесей и структурных
дефектов, способных образовывать в полупроводниковом материале
электрически- и рекомбинационноактив-ные центры. В связи с этим
существенно ужесточаются требования к чистоте используемых в твердотельной
электронике монокристаллов. Достаточно сказать, что в бездислокационных
монокристаллах кремния большого диаметра, применяемых для изготовления
ультрасверхбольших интегральных схем, суммарное содержание
быстродиффундирующих примесей тяжелых металлов не должно превышать
1011 ат/см3, а углерода —
(1...2)-1015 ат/см3. Большое внимание уделяется
также обеспечению заданной концентрации и равномерного распределения
кислорода в объеме кристалла (разброс концентрации в поперечном
сечении <3...5 %).
Очень жесткие требования по
содержанию электрически активных фоновых примесей выдвигаются и при
решении проблемы получения высококачественных нелегированньгх
полуизолирующих монокристаллов GaAs и InP, используемых в производстве
дискретных приборов и интегральных схем СВЧ-диапазона. В данном
случае помимо примесей тяжелых металлов необходимо строго
ограничивать содержание в монокристаллах примесей элементов II и VI
групп Периодической системы — Zn, Cd, Mg, S, Se, Те и др. (< 1 •
1014 ат/см3), а также кремния (< 1 •
Ю14 ат/см3) и углерода (< I • I015
ат/см3).
Весьма существенная роль в
решении проблемы чистоты отводится исходным и вспомогательным
(технологические газы; материалы контейнеров, нагревательных
элементов и тепловых экранов; химические реактивы и т. д.)
материалам, содержание лимитирующих остаточных примесей в которых не
должно превышать 1(Г7...10~9 %. Тем не менее очень
многое зависит и от обеспечения стерильности самого ростового
процесса. Особенно велика вероятность дополнительного загрязнения
материала на стадии его подготовки к загрузке и в процессе
осуществления самой этой операции (все необходимые операции, связанные с
финишной подготовкой как исходной загрузки, так и контейнера, а также
их размещением в ростовой камере, должны проводиться в особо чистых
условиях). Транспортировка подготовленной загрузки к ростовой
установке осуществляется в специальной чистой герметизированной таре.
Серьезное внимание уделяется процессу подготовки самой ростовой установки,
в том числе предварительному отжигу графитовых деталей теплового узла (и
их хранению), а также исключению сильного перегрева расплава на
стадии расплавления загрузки. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 42 43 44 45 46 47 48... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
