Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 41 42 43 44 45 46 47... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
стущего кристалла. Сегодня этот
метод успешно используется для получения монокристаллов GaAs и InP
больших диаметров (до 150 мм и 75 мм, соответственно) с плотностью
дислокаций < (1...2) • 104 см-2.
Наиболее перспективными методами
выращивания малодислокационных монокристаллов разлагающихся
полупроводниковых соединений больших геометрических размеров являются
методы горизонтальной (ГНК) и вертикальной (ВНК) направленной
кристаллизации в контейнере, размещаемом в запаянной кварцевой
ампуле. Оба метода позволяют выращивать монокристаллы при достаточно
низких температурных градиентах, в условиях строгого контроля
стехиометрии. В последние годы все большее предпочтение отдается методу
ВНК, который обеспечивает получение кристаллов цилиндрической формы в
условиях осе-симметричного теплового поля и поддержания плоского фронта
кристаллизации, а также отсутствия тепловой конвекции в расплаве.
Специальная подготовка контейнеров из кварца или нитрида бора
позволяет исключить их отрицательное влияние на качество выращиваемых
монокристаллов. Особенно перспективным вариантом реализации метода
ВНК является кристаллизация в условиях «движущегося температурного
градиента». В настоящее время методом ВНК в промышленных условиях
успешно выращиваются монокристаллы GaAs диаметром до 150 мм и массой
15...30кг, с плотностью дислокаций <5-103см~2 и с
высокой однородностью распределения электрофизических свойств в
объеме.
В последние годы резко повысился
интерес к таким широкозонным полупроводниковым материалам как карбид
кремния и нитриды элементов III группы Периодической системы. Эти
материалы обладают очень высокими температурами плавления и чрезвычайно
высокими давлениями паров летучих компонентов над собственными расплавами.
Для выращивания достаточно крупных монокристаллов этих материалов
приходится использовать кристаллизацию из растворов и различные
методы кристаллизации из газовой фазы, в том числе в аппаратуре
высокого давления. Получение достаточно крупных и совершенных
монокристаллов этих широкозонных полупроводников связано с
преодолением большого количества принципиальных сложностей и, за
исключением карбида кремния, еще не вышло за рамки лабораторных
исследований.
Резкое увеличение плотности
монтажа и уменьшение размеров рабочих элементов в современных
интегральных схемах диктует необходимость снижения рабочих токов и
напряжений. В этих условиях существенно возрастает роль посторонних
шумов, обусловленных, в первую |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 41 42 43 44 45 46 47... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
|
|
|
