Новые материалы






Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Новые материалы

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .



Страницы: 1 2 3... 36 37 38 39 40 41 42... 734 735 736
 

2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
соединений А" В ; германий; карбид кремния; бинарные соединения и твердые растворы на основе узкозонных и широкозонных соединений AllBYl; разнообразные термоэлектрические и сенсорные материалы.
Материалом № 1 современной твердотельной электроники является кремний. Мировое производство монокристаллов кремния составляет по разным оценкам 8...9 тыс. т/г. Сегодня монокристаллический кремний -это самый совершенный кристаллический материал из огромного мно­гообразия материалов, созданных когда-либо человеком или природой. Высокий уровень качества характерен и для ряда других хорошо осво­енных полупроводниковых материалов. Современная полупроводниковая индустрия - это яркий пример выдающихся достижений человеческой мысли на пути развития мировой цивилизации, и ее дальнейший про­гресс связан с решением непрерывно усложняющихся научно-техничес­ких задач.
Далее рассмотрим некоторые наиболее актуальные проблемы современ­ного этапа развития технологии и материаловедения полупроводников.
Выращивание монокристаллов
Выращивание монокристаллов — одна из наиболее ответ­ственных стадий на пути создания приборных структур. Вырезаемые из монокристаллов пластины используются либо для непосредственного формирования на их основе интегральных схем и дискретных прибо­ров, либо в качестве подложек в процессах получения тонкопленочных эпитаксиальных структур. В обоих случаях к качеству монокристалли­ческих пластин предъявляются очень высокие требования.
Основной тенденцией в развитии технологии получения монокрис­таллов широкого круга полупроводников является увеличение диаметра выращиваемых слитков, при одновременном непрерывном ужесточении требований к совершенству кристаллической структуры и однородности распределения задаваемых электрофизических характеристик в объеме материала. В случае кремния речь идет о получении бездислокацион­ных монокристаллов диаметром до 450 мм, в случае GaAs, InP, GaSb, InSb, CdTe и др. — малодислокационных (Na < 1 • 103 см-2) монокрис­таллов диаметром до 100...150 мм.
Наиболее универсальным методом выращивания монокристаллов больших диаметров остается метод Чохральского. Увеличение диаметра выращиваемых монокристаллов и необходимость обеспечения высокой экономической эффективности технологического процесса в цепочке
39
rss
Карта
 






Страницы: 1 2 3... 36 37 38 39 40 41 42... 734 735 736

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу


Сварка на контактных машинах
Краткий справочник технолога-термиста
Спутник термиста
Новые материалы
Твердые сплавы
Цементация стали
Зварювальні матеріали

rss
Карта