соединений А" В ; германий;
карбид кремния; бинарные соединения и твердые растворы на основе
узкозонных и широкозонных соединений AllBYl;
разнообразные термоэлектрические и сенсорные
материалы.
Материалом № 1 современной
твердотельной электроники является кремний. Мировое производство
монокристаллов кремния составляет по разным оценкам 8...9 тыс. т/г.
Сегодня монокристаллический кремний -это самый совершенный кристаллический
материал из огромного многообразия материалов, созданных когда-либо
человеком или природой. Высокий уровень качества характерен и для ряда
других хорошо освоенных полупроводниковых материалов. Современная
полупроводниковая индустрия - это яркий пример выдающихся достижений
человеческой мысли на пути развития мировой цивилизации, и ее дальнейший
прогресс связан с решением непрерывно усложняющихся
научно-технических задач.
Далее рассмотрим некоторые
наиболее актуальные проблемы современного этапа развития технологии и
материаловедения полупроводников.
Выращивание монокристаллов
Выращивание монокристаллов — одна
из наиболее ответственных стадий на пути создания приборных структур.
Вырезаемые из монокристаллов пластины используются либо для
непосредственного формирования на их основе интегральных схем и дискретных
приборов, либо в качестве подложек в процессах получения
тонкопленочных эпитаксиальных структур. В обоих случаях к качеству
монокристаллических пластин предъявляются очень высокие
требования.
Основной тенденцией в развитии
технологии получения монокристаллов широкого круга полупроводников
является увеличение диаметра выращиваемых слитков, при одновременном
непрерывном ужесточении требований к совершенству кристаллической
структуры и однородности распределения задаваемых электрофизических
характеристик в объеме материала. В случае кремния речь идет о получении
бездислокационных монокристаллов диаметром до 450 мм, в случае GaAs,
InP, GaSb, InSb, CdTe и др. — малодислокационных (Na < 1 •
103 см-2) монокристаллов диаметром до 100...150
мм.
Наиболее универсальным методом
выращивания монокристаллов больших диаметров остается метод Чохральского.
Увеличение диаметра выращиваемых монокристаллов и необходимость
обеспечения высокой экономической эффективности технологического процесса
в цепочке