Новые материалы






Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Новые материалы

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .



Страницы: 1 2 3... 178 179 180 181 182 183 184... 734 735 736
 

2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
Технологические проблемы производства непланарных полупроводниковых приборов
Изготовление неплоской поверхности для создания полупро­водникового прибора создает множество технологических трудностей, т к. в электронном приборостроении все операции производятся «на плоскости». Но вместе с тем, применение непланарных подложек, как было показано выше, позволяет создать новое поколение полупровод­никовых приборов с более высоким уровнем рабочих и эксплуатацион­ных характеристик, чем у традиционных, изготовленных на основе пла-нарных структур.
Полупроводниковый выпрямительный прибор (диод) изготовляется на основе двухслойной структуры, состоящей из высоколегированного п++)- и низколегированного «(р)-слоев. Толщина первого может состав­лять 200...500 мкм при удельном сопротивлении 0,005...0,2 Ом • см, вто­рого — 2...40 мкм, удельное сопротивление от 0,5 Ом-см и выше.
Технология производства таких структур известна и хорошо освоена в производстве.
Для изготовления непланарного выпрямительного диода с замкнутым в виде кольца />-и-переходом или барьером Шоттки требуется двухслой­ная структура, но в виде полого цилиндра. Технологии изготовления таких структур на поверхности цилиндра пока не существует.
Некоторая научная информация о том, что на неплоской поверхно­сти полупроводникового монокристалла возможно изготовление струк­тур для силовых полупроводниковых приборов, имеется в отечествен­ной и зарубежной литературе [57]. Известно, что для изготовления при­боров и микросхем используются сферические подложки, которые представляют собой кремниевые сферы диаметром 1... 1,2 мм, получае­мые в специальной плазменной печи. Затем поверхности этих сфер — гранул подвергают обработке, которую проводят в герметичных кварце­вых трубах, что позволяет отказаться от «чистых помещений» и сокра­тить производственные расходы. Фирмой «Ball Semiconductor* разрабо­тан технологический процесс трехмерной фотолитографии, что является достижением в области электронных технологий. Сообщается также, что разработаны способы соединения гранул в блоки и способы их монта­жа на единых платформах — корпусах для создания более сложных устройств.
Однако использование сплошных сфер диаметром 1... 1,2 мм для из­готовления мощных выпрямительных приборов не представляется целе­сообразным. Могут возникнуть трудности с отводом тепла, особенно из
181
rss
Карта
 






Страницы: 1 2 3... 178 179 180 181 182 183 184... 734 735 736

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу


Сварка на контактных машинах
Краткий справочник технолога-термиста
Спутник термиста
Новые материалы
Твердые сплавы
Цементация стали
Зварювальні матеріали

rss
Карта