Новые материалы

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Новые материалы

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 177 178 179 180 181 182 183... 734 735 736

	 HOBblfМАТЕРИАЛЫ Рис. 2.31. Гипотетическая модель полупроводниковой структуры р+-я-л+-типа в виде од-нополостного гиперболоида вращения х^/а2 + y^/b2 — ^/с2 = 1 с металлическими кон­тактами, обладающими поверхностью второго порядка: к, (, v — слои полупроводника с переменным уровнем легирования на боковой повер­хности гиперболоида; j — толщина базы л-Si в виде фигуры вращения; Wp_n — рабочее значение ширины области объемного заряда р-я-перехода; W — максималь- " "max ное значение ширины области объемного заряда на боковой поверхности гиперболой да вращения Таким образом, для полупроводниковых кремниевых структур вып­рямительных приборов, например р+-п-п+-шиа, с площадью р-я-перехо-да S > 1 см2 следует применять структуры с металлическими контакта­ми, имеющие формулу поверхности 2-го порядка (см. рис. 2.31), в том числе и для непланарных структур цилиндрической формы, обладающих краевыми эффектами, которые значительно ослаблены по сравнению с плоскими структурами с эквивалентной площадью Sn „ = S. „ = а2, где a — сторона квадрата плоского кристалла. 180 rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу