Новые материалы

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Новые материалы

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 176 177 178 179 180 181 182... 734 735 736

	 2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ Краевое поле Es может увеличиваться или уменьшаться на границе раздела, в том числе и на торцевой поверхности двух диэлектрических сред по законам преломления и широко используется для защиты открытых поверхностей полупровод­никовых кристаллов диэлектриками типа Si02, Si3N4 и др. Чтобы полностью исключить вероятность поверхностного пробоя в полупроводниковых структурах непланарного типа, например, цилинд­рической формы, необходимо с помощью более высоких технологий формировать низколегированные участки р-/-«-типов с таким расчетом, чтобы ширина области объемного заряда Wp_n цилиндрического р-п-пе-рехода плавно увеличивалась к торцевым областям, где р-я-переход выходит на поверхность с максимальной шириной W. „ , как показа-но на рис. 2.31 и в уравнении: которое определяет площадь р-я-перехода, равного площади поверхности вращения гиперболоида однополостного [54] при граничных условиях: Рис. 2.30. Распределение напряженности электрического поля Е по длине цилиндри-кои структуры с ^-«-переходом при обратном смещении (а) в сечении цилиндри­ческой структуры (б) при условии R, -л W ■ ' ~ краевое поле р'п 12* 179 rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу