Новые материалы

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Новые материалы

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 175 176 177 178 179 180 181... 734 735 736

	 НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ пробоя в несколько раз, по сравнению с напряжением пробоя плоского р-я-перехода. Однако следует отметить, что напряженность электрического поля в объеме р-я-перехода, рассчитанная с помощью теоремы Гаусса (уравне­ние Пуассона), флуктуирует вокруг номинального значения и, как пока­зывает расчет, изменение напряжения пробоя для Si и Ge вокруг номинального значения Unpo6, при флуктуации примесей NA, Na по за­конам современных технологий изменяется в пределах д£/проб=0,05...0,бВ, что является достаточно точным приближением: где С = (Лд + NA)/(NA — NA) - фактор компенсации. Следовательно, объемное флуктуирование атомов примесей NA, NR в р-я-переходе не может быть причиной появления краевого поля, так как оно создается зарядами, флуктуирующими по свободным поверхностям полупроводниковой структуры под действием других физико-химических процессов. Рис. 2.29. Распределение напряженности электрического поля Е по длине цилиндри­ческой структуры с р-я-переходом при обратном смещении (а) в сечении цилиндри­ческой структуры (б) при условии Л,» Wp_n: 1 — вектор Ер п по кольцевому объему р-л-перехода; 2 — распределение эквипотенци­альных линии этого же поля по сечению цилиндрической структуры; 3 — вектор край­него поля Es на торцах цилиндрической структуры; R2 — радиус внутреннего и внешнего цилиндров, соответственно 178 rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу