изменяется по величине, но он
перераспределяется при постоянно приложенном напряжении
UQ между обкладками по поверхности, особенно на
краях при х ~ а; у = b (см. рис. 2.23) или г - R;
Z=
lz (рис. 2.28), т.е
Полагая, что полный
электрический заряд на плоской поверхности Q равен полному заряду
на цилиндрической поверхности при эквивеь лентной площади
контактов S„ = Snn = = 2nRl, = ab,
т!е. (?„„ = О получим:
; (2.18)где к —
коэффициент пропорциональности, одинаковый для обеих
поверхностей.
Распределение поверхностной
плотности зарядов o^(z)n по внутренней цилиндрической
поверхности соответствует тому же закону [см. (2.16, 2,17)].
Из формулы (2.18) и графика (рис.
2.28, б)
видно, что в цилиндрических структурах распределение
поверхностной плотности зарядов оц по длине образующей цилиндра
меньше плотности поверхностного заряда о"^ на металлических обкладках
плоского конденсатора с эквивалентной площадью 5Эк = Sm = 5ц при геометрических
размерах
(2Л9)и суммарный заряд Q также подчиняется
принципу эквивалентности Qs3KB = Qss™ ~ @ssu при одном и том же
обратном напряжении t/o6p =
^Обрпл = ^Обрц-
Формулы (2.18), (2.19) даются
впервые, они определяют степень краевого эффекта как в плоских, так и
в цилиндрических полупроводниковых структурах. Из них следует, что в
цилиндрических структурах краевое электрическое поле напряженностью Es ,
пропорциональное по законам электростатики поверхностной плотности зарядов
о , уменьшается по
сравнению с краевым полем плоской структуры на величину Т-
(2.20)Коэффициент пропорциональности
к,
Кл/м3,определяет объемное распределение электрических
зарядов в приконтактном слое металличес-
