Поверхностные явления в
полупроводниковых структурах с замкнутой цилиндрической поверхностью второго
порядка
В отечественной литературе [56]
полупроводниковые структуры с замкнутой поверхностью 2-го порядка с
центральным потенциальным металлическим контактом цилиндрической
формы и сферической симметрии рассматривались в виде объемных
р-я-переходов. В зарубежной литературе [57] появились сообщения о
создании МОП-транзисторов и интегральных схем, в том числе и
выпрямительное устройство на кремниевой сферической подложке диаметром 1
мм, но без центрального потенциального металлического
контакта.
С математической точки зрения
[53] цилиндр — поверхность 2-го порядка, образованная движением отрезка,
параллельного выбранной оси, т. е. уравнения вида f(xy) =
0; f(z)
=
0; (yz) = 0
определяют цилиндры, образующие которых параллельны соответственно
осям oz, оу, ох и удовлетворяют уравнению
С помощью инвариантов Д, 8,
S и Г и их знаков по методике [53], можно выбрать
соответствующую поверхность 2-го порядка, зная коэффициенты при
а.
Например, уравнение
эллиптического цилиндра в виде функции д^/я2 +
у2/с2 = z с осью oz. Это
же уравнение описывает прямой круговой цилиндр, но при а - с =
R, z=
/ц.
Рассмотрим цилиндрическую
структуру (рис. 2.28) и ее краевые эффекты, связанные с неравномерным
распределением электрических за-
