где b - длина
пластины конденсатора (см. рис. 2.27, a); R0
— единичный радиус, равный радиусу внутреннего металлического
контакта (см. рис. 2.27, б); т — номер
эквипотенциальной окружности.
Силовые линии электрического поля
Е определяются уравнением Е=А$, где
р = 2л, и представляют собой прямые линии в виде лучей, перпендикулярных к
эквипотенциальным поверхностям. Очевидно, что такая структура тем более не
содержит деформированных силовых линий электрического поля
напряженностью Es, ответственного за
проявление краевого эффекта.
Для решения уравнения Пуассона по
теореме Гаусса для контакта металл—полупроводник с барьером Шоттки можно
воспользоваться решением, приведенным в работе [55] для р-и-переходов
типа р+-п с резким распределением
атомов примесей NA, Na при условии
NA
»
N
.
Результат решения можно применять для контактов с барьером Шоттки
с целью расчета номинального значения напряжения пробоя
Unpo6, в том числе и для кремниевых непланарных
структур с барьером Шоттки цилиндрической формы (см. рис. 2.27, б).
Поэтому, аналогично с
р-п-переходами вводится коэффициент
идентификации (3 напряжения пробоя Unpo6
непланарного барьера Шоттки цилиндрической формы по отношению к
напряжению пробоя Unpo6 планарно-эпитаксиального
барьера Шоттки:
; ы .
(2-15)где а - ар/ап
(ап, ар — коэффициенты ударной ионизации для
электронов и дырок соответственно); А = и^Е™ -
поправочный коэффициент;
напряженность электрического поля
в области пространственного заряда (ОПЗ); т - показатель
аппроксимации (для Si т = 3...5,5); Wn
-ширина области пространственного заряда (ОПЗ) в барьере Шоттки;
RQ-
