Новые материалы

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Новые материалы

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 169 170 171 172 173 174 175... 734 735 736

	 НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ Это семейство конфокальных гипербол с фокусным расстоянием 4а2 + с2 = к ■ Оно определяет форму металлических контактов полупро­водниковой сферы с барьером Шоттки. В свою очередь, уравнение (2.9) приводится при Е = const к виду: (2.12) с полуосями а = kch(E/m); с = ksh(E/m). Это семейство конфокальных эллипсов с фокусным расстоянием от центра у[а2 +с2 - к . Оно определяет форму силовых линий электри­ческого поля напряженностью Е между гиперболическими контактами. Такая форма силовых линий, расположенных друг от друга на величину т, не содержит деформированных силовых линий электрического поля, ответственных за краевой эффект. Форма контактов является промежу­точной между плоской структурой (см. рис. 2.27, а) и цилиндрической (см. рис. 2.27, б), обладающей замкнутой поверхностью 2-го порядка. Представим переход от плоской структуры к окружности (любые сечения цилиндра) в форме комплексного числа: (2.13) где U = y41n(^/i?0); Е = А$—лучи; А = d/n, d — расстояние между пласти­нами плоского конденсатора. Рис. 2.27. Преобразование барьера Шоттки с плоскими контактами (а) в барьер Шот­тки Si «-типа с цилиндрическими металлическими контактами (б) с помощью конфор­мных отображений Кристоффеля—Шварца: 1 — верхний металлический электрод; 2 — нижний металлический электрод 172 rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу