Конструктивно-технологические способы
подавления краевого эффекта в полупроводниковых структурах с барьером
Шоттки
Конструктивно-технологическая
эволюция контакта металл-полупроводник л-типа с барьером Шоттки от плоской
модели с краевым эффектом до цилиндрической с подавленным краевым
эффектом (рис. 2.27) должна осуществляться с помощью теоретических
конформных преобразований Кристоффеля—Шварца [53].
Например, при задании на
плоскости z потенциалов U и силовых линий
электрического поля Е в форме комплексного
числа:
; (2.9)а функция преобразования на плоскости W задана
в форме:
(2.10)где т, k, А — некоторые числовые
коэффициенты.
Очертания электродов в плоскости
z могут быть самыми разнообразными, но достаточно точно
должны повторять форму эквипотенциальной поверхности
(эквипотенциальной линии), поэтому уравнение (2.9) при U =
const приводится к уравнению гиперболы вида:
(2.11)с
полуосями
a =
kcos{U/m); с = гът{11/т).
