Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 166 167 168 169 170 171 172... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ |
|
|
|
|
|
на поверхность полупроводникового
кристалла (в нашем случае кремния). Этот физический процесс приводит
к резкому увеличению обратных токов утечки при повышении обратного
напряжения (при котором происходит пробой), величина которого
Uo6p меньше напряжения пробоя {/проб , обусловленного объемным
распределением примесей.
Для ослабления «краевого
эффекта», например в кремниевом кристалле с плоским элементарным
барьером Шоттки [56] (см. рис. 2.26, б), |
|
|
|
|
|
|
Рис. 2.26.
Разновидности полупроводниковых структур диодов с барьером Шоттки
плоской формы на Si и-типа: а — с плоским элементарным барьером;
б — с расширенным металлическим контактом; в — с
диффузионным кольцом /?-типа; г — с трехслойным металлическим
контактом; д — с электродом в виде эллипсоида
вращения |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 166 167 168 169 170 171 172... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
|
|
|
