Если же все доноры и акцепторы
ионизованы, т. е. Nx= Ny =
О, то уравнение примет вид:
(2.6)С учетом закона действующих масс
пп-рп
= nf,
уравнение (2.6) представляется в виде:
> (2-7)
■ (2.8)Для сильнолегированных кристаллов и-типа, когда (N - Л^)
» я.,
Соотношения (2.7, 2.8) позволяют
оценивать флуктуации атомов примесей в полупроводнике и-типа,
выращенном тем или другим технологическим способом. Например,
вытягивание из расплава или процесс диффузии обеспечивают флуктуации
атомов примесей на требуемом уровне при nt»(N -
Л/д). В этом случае флуктуации примеси не приводят к появлению полей,
стремящихся их подавить, как было бы при (N -
ЛГд)» и(-, где и(- — собственная концентрация атомов
данного полупроводника. Другими словами, флуктуации примесей в объеме
полупроводника и-типа в приборах с барьером Шоттки не могут быть
физической причиной появления краевого поля напряженности
Es, ответственного за провоцирование
поверхностного пробоя, так как и в барьере Шоттки, и в р-и-переходе
краевое поле Es образуется поверхностными
зарядами Qw Qss.
Точно так же на появление
краевого поля не влияют глубокие уровни (ловушки), разброс контактной
разности потенциалов, падение напряжения на самом теле металлического
контакта [55].
Известно, что в структуре
полупроводника с простейшим барьером Шоттки плоской структуры (рис. 2.26,
а)
наблюдается «мягкий пробой», он обусловлен наличием сильного
электрического поля напряженностью Es вблизи
краев области объемного заряда шириной W, т.е. проявлением
так называемого «краевого эффекта», приводящего реальные приборы к
нестабильной во времени флуктуации основных параметров п, фк,
/к> которые в свою очередь вызывают интенсификацию
рекомбинационньгх (генерационных) процессов в местах выхода области
объемного заряда
