Рис. 2.25.
Распределение абсолютного отрицательного заряда в кулонах Q~(R)
на краю металлического верхнего контакта в виде плоского диска по его
радиусу R для структуры
р+-л-л+-типа
этом случае боковые поверхности
полупроводниковой структуры не должны быть скошены под острыми углами
прямой (а{)
и обратной (ос2) фасок, так как поверхность 2-го
порядка сама обеспечивает профилирование
/?+-и-и+-структур под пространственными углами и
обеспечивает эквипотенциальное распределение потенциала в
пространстве.
Тогда эквипотенциальные линии
приходят из пространства от -°о до +°° и никогда не замыкаются вокруг
электродов. Это означает, что электрическое поле напряженностью
Es на боковой поверхности не будет иметь максимума (нет
стушений линий поля, см. рис. 2.24), а будет распределено равномерно,
причем так, что на боковой поверхности кристалла оно всегда меньше,
чем в объеме р-и-перехода, т. е. Е. < Еп „
и
ьр-п У"
краевой эффект будет существенно ослаблен.
Конструктивно-технологические
особенности плоских планарно-эпитаксиальных структур с барьером
Шоттки
Потенциальный барьер,
образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащий с металлом,
исследован немецким ученым В. Шоттки [54] еще в 1939 г. и назван его
именем. Дальнейшие исследования [55] показали, что для возникновения
барьера Шоттки в структуре металл—полупроводник необходимо, чтобы
работа выхода электронов из металла Фм и полупроводника
Фп была больше Фм > Фп, металл
заряжается отрицательно, а полупроводник — положительно. Возникающая
при установлении равновесия контактная разность потенциалов между металлом
и полупроводником равна:
где q — элементарный заряд
электрона.
