Рис. 2.22. Структура
р+-/-и+-кремниевого диода, имеющая форму «электрода
Роговско-го» (а), и
распределение эквипотенциальных линий в такой структуре (б)
n+-i-p+
выполняют р+- и «+-слои, как у
«электродов Роговского», и они повторяют «застывшую» эквипотенциальную
плоскость (см. рис. 2.22, б), которая
соответствует потенциалу Ux = (/обр/4,
поэтому напряженность электрического поля Es на
поверхности ^-«-перехода будет всегда меньше, чем в объеме, т. е.
Es < Ер_п вследствие того, что
у структуры с «электродами Роговского» эквипотенциальные линии у
поверхности расходятся.
Координаты х и у
формы «электрода Роговского» находятся из решения системы
уравнений следующим образом:
где h - W6 —
толщина базовой области полупроводниковой структуры; А —
параметр, характеризующий силовые линии.
Полупроводниковые структуры,
соответствующие этим уравнениям, являются плоскими, так как не
учитывают распределения зарядов по оси z, и сами
металлические контакты также являются плоскими (см. рис. 2.22, а).
