Различие в площадях верхнего и
нижнего металлических контактов приводит к неоднородному распределению
плотности рабочего тока через выпрямительный диод в прямом направлении (в
режиме инжекции), так как наибольшая плотность рабочего тока
наблюдается у края верхнего электрода, имеющего меньшие геометрические
размеры, поэтому электротепловая неустойчивость (электротепловая
деградация) значительно больше у края верхнего электрода, чем у
нижнего при приложении к структуре диода прямого напряжения
Unp.
Электрофизические недостатки
присущи и кремниевым четырехслой-ным силовым структурам р-п-р-п-типа,
представленным на рис. 2.21.
Для создания силовых кремниевых
полупроводниковых приборов были предложены типы структур с двумя или тремя
фасками, в которых, тем не менее, не исключается проявление краевого
эффекта из-за наличия поверхностного заряда с повышенной поверхностной
плотностью у краев плоских металлических контактов.
Более приемлемой конструкцией
является кремниевая структура, имеющая форму «электрода Роговского» [52]
(рис. 2.22), в которой распределение напряженности электрического
поля и его эквипотенциальных линий имеют более однородную природу,
что позволяет использовать такие структуры при обратных напряжениях в
пределах 4...7кВ без скошенных боковых поверхностей
р-и-переходов.
Другими словами, структура Si
выпрямительного элемента должна повторять структуру контактных электродов,
роль которых в структуре
