Новые материалы

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Новые материалы

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 158 159 160 161 162 163 164... 734 735 736

	 2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ Для прямой фаски: при этом поверхностное обратное напряжение С/ определяется по формуле [51]: где с0 — поверхностная плотность электрического заряда, Кл/м2; el5 е, £0 - диэлектрическая проницаемость среды (воздух Si02 и другая защи­та), полупроводника, свободного пространства (е0 = 8,85 • Ю-12), Ф/м соответственно; pv — плотность объемного заряда в полупроводнике соответственно (pv = gNA, pv = q(NA - NR)). Для диодных, транзисторных, тиристорных полупроводниковых струк­тур, а также в зависимости от технологии их изготовления, вышепере­численные поверхностные параметры будут иметь уже другие значения, рассчитанные по другим формулам, которые представлены в виде гра­фического решения (рис. 2.18, 2.19, 2.20). Такой разброс поверхностных полупроводниковых структур для си­ловых приборов не позволяет разрабатывать более высокие технологии их производства, с целью существенного повышения характеристик по­лупроводниковых структур с плоскими (планарными) р-п-переходами и металлическими контактами к ним. Как следует из рис. 2.14, слой объемного заряда реального p-n-nt-рехода в приповерхностном слое кристалла кремния может быть уже Рис. 2.18. Распределение напряженности электрического поля на поверхности p+-rt-n+-кремниевой структуры при различных значениях f/nfin, кВ: 1 ~ 1; 2 - 2; 3 - 3; 4 - 4 Р 11 - 6928 161 rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу