Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 157 158 159 160 161 162 163... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 2.16.
Схематическое устройство кремниевого кристалла:
о — с
я+-/?-/;+-переходом на основе и-Si (р = 250 Ом •
см); 6
— с четырехслойной структурой п+-р+-п-р+
для силового тиристора на основе л-Si (р = 30 Ом-см); a[t
a2 - углы прямых фасок |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 2.17.
Схематическое устройство кремниевого кристалла с гштислойной структурой
n+-p+-n-i-p+-p++ am
силового тиристора на основе л-Si (р = 500 Ом*см) с двумя прямыми фасками
a2, а'2 |
|
|
|
|
|
напряжения С/обр =
4000...7000 В. Однако в кремниевых структурах с плоскими р-и-переходами
для высоковольтных силовых приборов такие важнейшие параметры, как
напряженность электрического поля на поверхности Es,
ширина />-я-перехода на поверхности узла фаски И1^ >
определяются эмпирическим путем для каждой партии приборов [47]. Например,
для диодных структур р+-п-п+-шпа на основе
и-Si с удельным сопротивлением рп (80... 100 Ом •
см), были рассчитаны по методике [50] поверхностные параметры Е„
£/_ , a<, a-,, W. с помощью сле-дующих эмпирических формул.
Для обратной фаски:  |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 157 158 159 160 161 162 163... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
|
|
|
