Новые материалы

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Новые материалы

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 155 156 157 158 159 160 161... 734 735 736

	 НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ Для каждой области применения имеются соответствующие типы приборов. Диапазон основных параметров современных СПП составля­ет 100... 1000 В по блокируемому напряжению, рабочий ток — от едини­цы до 5 • 103 А, время переключения — от сотен микросекунд до десят­ков пикосекунд и т.д. [45]. Развитие конструкций силовых полупроводниковых приборов идет в основном по пути увеличения рабочего тока и напряжения в соответ­ствующих диапазонах частот. Традиционно основным элементом в конструкции СПП является плоская пластина из монокристаллического кремния, на которой фор­мируется та или иная полупроводниковая структура. Простейшая структура состоит из двух слоев: п+-п, р+-р — высоколе­гированной подложки и рабочего слоя, в котором образуется ОПЗ. Такая структура применяется для изготовления выпрямительных диодов Шот-тки или слоев типа р-п, полученных методом диффузии или эпитаксии. Поверхностные явления в современных силовых полупроводниковых приборах с р-п-переходами плоской структуры Известно, что важнейшей проблемой при конструировании силовых полупроводниковых приборов с плоскими планарно-эпитакси-альными ^-«-переходами является полное исключение поверхностного пробоя при приложении обратного напряжения £/обр [46—48]. Это связа­но с тем, что силовые, например, кремниевые полупроводниковые при­боры рассчитаны на рабочие напряжения £/обр (200...5000 В) и могут про­пускать рабочий ток / (10...2000 А) с ^-«-переходами, изготовленными из высокоомного кремния с удельным сопротивлением р (7... 600 Ом «см) с рабочей площадью S (0,3... 1000 см2). Поверхностный пробой [48—50] возникает в полупроводниковом р-п-переходе, если напряженность электрического поля Es превышает неко­торую величину Етах = Епр (рис. 2.14), определяемую шириной области объемного заряда Wp_n в объеме р-«-перехода. Напряженность электри­ческого поля Es на поверхности р-«-перехода определяется шириной об­ласти объемного заряда WSp_n на его поверхности. Критерием степени влияния поверхностных эффектов можно считать отношение напряжен­ности электрического поля Es на поверхности к напряженности элект­рического поля Етах = Епр при пробеге в объеме: 158 rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу