общую стоимость устройств на их
основе. Другим препятствием является изготовление сложных схем с высокой
степенью интеграции.
Магнитная память с большой
плотностью записи и с высоким быстродействием может быть создана на
ячейках с магнитным туннельным переходом, в которых между верхним слоем
нефиксированного сэндвича и фиксированным антиферромагнитом может
протекать туннельный ток, величину которого определяет ориентация
магнитного поля этого верхнего слоя. В настоящее время в такой магнитной
памяти скорости доступа пока не соответствуют скорости доступа в
динамической памяти КМДП-БИС, но моделирование показывает, что они
могут быть увеличены за счет оптимизации структуры и размеров. Однако она
может соответствовать КМДП-технологии по плотности памяти. Спиновые
устройства в виде ячеек с магнитным туннельным переходом могут проникнуть
на рынок уже в ближайшем будущем. Записывающие головки, основанные на
механизме переменного туннельно-переходного подмагничивания, уже реально
применяются. Препятствием для широкого внедрения в производство
интегральных схем на основе ячеек с магнитным туннельным переходом
является тот факт, что металлы, используемые для создания
туннельно-переходных ячеек, трудно совместимы с кремниевой
технологией.
В настоящее время для создания
полупроводниковых структур на-нометровых размеров применяются групповые
технологии, основанные на осаждении и литографии. Групповые технологии
имеют ряд особенностей, ограничивающих возможность создания структур
нанометровых размеров. Прежде всего при осаждении образуются поры, зерна,
дислокации и другие дефекты, возникающие из-за одновременного
осаждения на различные участки подложки. Применение методов
эпитаксии хотя и позволит преодолеть в известной степени данные
затруднения, но из-за высоких температур существенно затруднит
локальное осаждение.
Развитие методов литографии шло
по пути уменьшения длины используемого излучения (ультрафиолетовое
или синхротронное) и применения частиц с меньшей длиной волны
(высокоэнергетичная электронная и ионная литография). Существенным
ограничением методов оптической литографии является возможность
фокусировки света. От этого недостатка свободны методы ионной и
электронной литографии. Однако высокая энергия фокусируемых частиц
приводит к нарушению поверхности используемых материалов, что и
ограничивает разрешающую способность.
