Вместе с тем следует отметить,
что в развитии наноэлектронных технологий имеется ряд существенных
трудностей [35]. Оказалось, что интегральные схемы на одноэлектронных
транзисторах из-за высокого выходного сопротивления имеют рабочую частоту
не более 1 ГГц. Не определены пути создания для одноэлектронных
транзисторов, работающих при комнатных температурах, квантовых точек
диаметром 1 нм. Кроме того, наличие случайно-заряженных примесей в
подложке приводит к сдвигам пороговых напряжений одноэлектронных
транзисторов.
К достоинствам одноэлектронных
туннельных приборов следует отнести высокую плотность упаковки в
сочетании с низкой мощностью. Перспективным представляется создание
элемента памяти, возможно, не в форме одноэлектронного блокадного
транзистора, а скорее в форме наноразмерного аналога стандартных устройств
памяти мгновенного типа. Данные элементы могут выполнять функции
статической памяти, ликвидируя разрыв между современной КМДП-памятью и
чистым од-ноэлектронным транзистором. Станет ли концепция чистого
одноэлектронного транзистора рыночным образцом, будет зависеть от
способности создавать однородные элементы прибора размером на уровне
2 нм и устойчивости этих устройств к фоновым колебаниям
заряда.
Резонансные туннельные диоды
перспективны для использования в цифро-аналоговых и цифровых
преобразователях, регистрах сдвига и статической памяти ультранизкой
мощности, имеют преимущества перед КМДП-БИС по быстродействию при
использовании в цифро-аналоговых конвертерах с частотами 10... 100
ГГц и по мощности при применении в приборах статической памяти.
Поэтому эти устройства на основе материалов АП1ВУ
могут найти применение в ближайшем будущем. Приборы на основе кремния
имеют пока худшие характеристики, по сравнению с приборами на материалах
AIHBV, и нуждаются в дальнейшей доработке.
Однако резонансные туннельные диоды требуют устойчивости технологии в
монослойном режиме и хорошей равномерности по всей пластине, что
является главной проблемой, особенно для схем с большой степенью
интеграции.
Цифровые схемы на основе
сверхпроводников, которые обеспечивают высокое быстродействие (диапазон
ГГц), имеют рыночный потенциал для применения в той области, где
кремниевые КМДП-схемы не могут достигнуть тех же частот из-за
литографических ограничений. Они могут с успехом применяться в
высокоскоростном аналого-цифровом и цифро-аналоговом преобразовании. К
сожалению, такие приборы, основанные на сверхпроводящих материалах,
нуждаются в охлаждении, что повышает
