проведении последующих операций
не должно образовываться двуокиси кремния или силицидов, т. к. при
этом будет уменьшаться диэлектрическая проницаемость подзатворного
диэлектрика (в качестве подзатворных предпочтительнее аморфные
диэлектрики). Однако большая часть оксидов металлов имеет склонность к
кристаллизации, что предполагает разработку эффективных методов
стабилизации аморфных фаз, например путем формирования силикатов.
Поликристаллические диэлектрики подходят в меньшей степени, т.к.
границы зерен облегчают перенос носителей в сильных электрических
полях. Кристаллизация увеличивает неровность границы раздела и
сопровождается снижением подвижности носителей в канале.
Относительная диэлектрическая
проницаемость альтернативного диэлектрика должна находиться в
диапазоне 9...25. При более высокой диэлектрической проницаемости слой
диэлектрика будет слишком толстым по отношению к размерам канала, что
усилит негативное влияние краевых электрических полей.
Несмотря на то, что значительная
толщина альтернативного диэлектрика снижает токи утечки, для
получения минимальных токов диэлектрик должен иметь большую ширину
запрещенной зоны.
Рассмотренным требованиям не
удовлетворяет в полной мере ни один из представленных в табл. 2.3
материалов. Поэтому получение альтернативного диэлектрика,
удовлетворяющего требованиям кремниевой МДП-технологии, является
достаточно сложной задачей, на решение которой затрачивается достаточно
много усилий.
Развитие нанотехнологий
направлено на создание электронных устройств будущего, способных
стать базой для дальнейшего развития информационных технологий.
Увеличение мощностей компьютерных систем достигается уменьшением
размеров применяющихся в настоящее время кремниевых интегральных схем.
Однако по оценке ведущих международных исследовательских организаций,
при сохранении современ-
