Новые материалы

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Новые материалы

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 144 145 146 147 148 149 150... 734 735 736

	 2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ рическую проницаемость (еох = 3,9). Для того, чтобы эффективно управ­лять проводимостью канала при все уменьшающихся топологичес­ких размерах МДП-транзисторов, необходимо использовать все более тонкие слои двуокиси кремния. На рис. 2.13 показана зависимость тол­щины подзатворного слоя двуокиси кремния от минимального топологи­ческого размера [36]. К 2014 г. по­ требуются диэлектрики с эквивален­тной толщиной 0,5...0,6 нм. Уже сейчас есть сведения о создании Рис. 2.13. Зависимость толщины подзат­ворного диэлектрика от минимального топологического размера МДП-транзисторов с толщиной ди­электрика 0,8 нм. Однако при толщине < 1,2 нм слои двуокиси кремния теряют свои диэлектрические свойства. Это вызывает необходимость со­здания альтернативных подзатворных материалов, имеющих эквивалент­ную толщину < 1,2 нм. Эквивалентная толщина диэлектрика определяет­ся как толщина слоя Si02 с еох = 3,9, имеющего ту же емкость, что и альтернативный диэлектрик с большей величиной относительной диэ­лектрической проницаемости. Эквивалентная толщина подзатворного диэлектрика равна /эк = /диэл (3,9/едиэл). При толщине < 1,2 нм у Si02 увеличиваются токи утечки затвора, возрастает рассеивание носителей в канале, повышается проникновение примесей, усиливаются деградаци­онные процессы. Основными проблемами при создании подзатворных диэлектриков на основе двуокиси кремния являются увеличение тока затвора, снижение эффективности управления каналом, снижение надежности [36]. Si02 имеет большую ширину запрещенной зоны ~9 эВ, низкую плот­ность ловушек и дефектов в объеме, что обусловливает малую величину тока утечки. При толщине Si02 < 3 нм прямое туннелирование будет преобладать над током утечки. Прямой туннельный ток экспоненциаль­но возрастает с уменьшением толщины оксида. При уменьшении тол­щины оксида на 0,2 нм ток возрастает на порядок. Если за максималь­но допустимую плотность тока затвора принять 1 А/см2, то минимально Допустимая толщина Si02 составит -1,3 нм. Ток стока в МДП-транзисторах с ультратонким подзатворным диэлек­триком возрастает с уменьшением толщины Si02 до 1,3 нм, а затем на- 147 rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу