таких стабилитронов определяется
пороговым напряжением транзистора, а дифференциальное сопротивление —
крутизной транзистора. Для этой цели можно применить специальный
МДП-транзистор, имеющий длину канала 2 мкм и соотношение длины канала к
ширине 2 • 104. Данная конструкция стабилитрона позволяет
получить следующие характеристики: рабочий диапазон тока 3 мкА...5
мА, дифференциальное сопротивление < 500 Ом. Использование в
низковольтном слаботочном стабилитроне в качестве подзатворного
диэлектрика структур Si02-<PCC дает возможность изменять
напряжение стабилизации путем инжекции электронов в сильных
электрических полях непосредственно на готовых приборах в пределах
2...5 В. Для осуществления инжекции затвор МДП-тран-зистора на кристалле
не соединяется со стоком.
Дальнейшее развитие работ по
инжекционной модификации с использованием рассмотренных выше
процессов изменения зарядового состояния МДП-структур, наряду с
разработкой новых видов полевых приборов с изменяемыми параметрами, будет
направлено на создание локальных областей инжекционно-индуцированного
заряда диэлектрика нанометровых размеров, что откроет возможность
формирования стабильных и перестраиваемых квантоворазмерных элементов
полупроводниковой наноэлектроники.
МДП-технология и основные
направления развития наноэлектроники
Из-за своей коммерческой
значимости структура Si—Si02 вызывает громадный научный
интерес. Насчитывается около 40000 работ (начиная с 1969 г.),
посвященных данной структуре [36]. Однако многие вопросы остаются
невыясненными до настоящего времени: детальное понимание механизмов
диффузии; взаимные реакции окисляющих и нитридирующих частиц в
Si02; механизмы начальной стадии окисления на атомарном уровне;
послеокислительные процессы и их зависимость от электрофизических свойств;
структура границ раздела; образование дефектов; механизмы
деградации.
Несмотря на прекрасные свойства
двуокиси кремния (высокое удельное сопротивление, низкая плотность
дефектов на границе раздела, высокая температура плавления, большая
ширина запрещенной зоны), существуют и определенные недостатки,
которые наиболее ярко проявляются с уменьшением топологических
размеров, а следовательно, и толщины Si02. Двуокись кремния
имеет относительно низкую диэлект-
