лектрика. Таким образом, при
отрицательной полярности А1-электрода инжекция электронов позволяет
увеличивать пороговое напряжение МДП-транзистора на величину до 1 В, а с
возрастанием концентрации фосфора в пленке ФСС уменьшается требуемая
величина инжектированного заряда для одного и того же изменения
зарядового состояния МДП-структуры.
При инжекции электронов из
кремния с увеличением концентрации фосфора и ростом толщины слоя ФСС
увеличивается диапазон возможных изменений порогового напряжения
МДП-транзисторов, который может достигать значений до 6 В. Однако для
обеспечения приемлемых значений плотности поверхностных состояний величина
инжектированного заряда при подгонке порогового напряжения не должна
превышать 0,1 мКл/см2. Диапазон токового воздействия при
изменении зарядового состояния МДП-приборов целесообразно ограничить
10~8...10~5 А/см2. Уменьшение амплитуды
токового воздействия сопровождается трудностями технической
реализации в связи со значительным возрастанием времени инжекции
требуемой величины заряда. Увеличение амплитуды токового воздействия
приводит к значительному возрастанию вероятности пробоя образца, а при
инжекции электронов из Si — к повышению плотности поверхностных состояний
и генерации положительного заряда в Si02.
Анализ токов ТСД и релаксации
отрицательного заряда в изотермических условиях показали, что при
туннельной инжекции электронов в сильных электрических полях отрицательный
заряд, захватывающийся в пленке ФСС, можно разделить на две компоненты,
одна из которых стекает при отжиге до 473 К, а другая -- термостабильная
часть заряда, которая начинает релаксировать, лишь при температурах выше
500 К. На наличие двух компонент отрицательного заряда указывает и
присутствие в пленке ФСС электронных ловушек с двумя сечениями захвата
[43]. Термостабильная часть отрицательного заряда в пленке ФСС
наблюдалась также при ультрафиолетовом облучении структур. Это
указывает на то, что для получения МДП-приборов с высокой температурной
стабильностью после коррекции зарядового состояния структур их
необходимо отжигать при температурах не ниже 473 К, а коррекцию параметров
проводить с учетом стекания части заряда при отжиге.
В качестве опытного образца
приборов с параметрами, управляемыми сильнополевой туннельной
инжекцией, разработан низковольтный слаботочный стабилитрон,
представляющий р-канальный МДП-транзи-стор, затвор которого соединен
со стоком. Напряжение стабилизации
