Новые материалы

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Новые материалы

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 141 142 143 144 145 146 147... 734 735 736

	 НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ структуре Si—Si02—ФСС-А1 связано с захватом части инжектированных электронов на ловушки в слое ФСС. На рис. 2.12 представлены зависимости приращения напряжения се­редины зоны от величины инжектированного заряда (плотность тока 0,667 мкА/см2) при положительной (/, 2, 3) и отрицательной (4, 5, 6) полярности А1-электрода для образцов с различной концентрацией фос­фора: 1, 4 - 2 %; 2, 5 — 1 %; 3, 6 - 0,7 %. С увеличением концентра­ции фосфора, и соответственно толщины слоя ФСС, возрастает концен­трация электронных ловушек в слое ФСС, что приводит к возрастанию скорости и величины накопления отрицательного заряда (см. рис. 2.12, кривые 1 и 4). Поскольку центроид отрицательного заряда, накапливаемого в плен­ке ФСС, находится дальше дистанции туннелирования, то при инжек­ции электронов из кремния он оказывает практически одинаковое вли­яние на сдвиги AVMG и AVj. При инжекции электронов из алюминия зависимости AVMG и AVj от инжектированного заряда имеют тот же характер, что аналогичные кривые на рис. 2.12, хотя абсолютные значе­ния AVj почти на порядок превосходят абсолютные значения AVMG, что связано с аналогичным отношением приведенных значений отрицатель­ного заряда к инжектирующей и Si—Si02 границам раздела, соответ­ственно. Таким образом, зная место локализации отрицательного заря­да и измеряя приращение напряжения на МДП-структуре AV}, можно контролировать изменение заря­дового состояния образца в про­ цессе сильнополевой туннельной инжекции электронов при любой полярности токового импульса, что позволяет проводить преци­зионную корректировку порого­вых напряжений МДП-приборов. Установлено, что при инжек­ции электронов из А1-электрода накопление отрицательного заря­да может происходить лишь до определенной величины, при превышении которой за счет Рис. 2.12. Зависимости приращения напря­жения середины зоны от величины инжек­тированного заряда увеличения локального электри­ческого поля в диэлектрической пленке происходит пробой диэ- 144 rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу