ний Кроме того, они не являются
экологически чистыми и требуют для своего применения достаточно сложного
оборудования.
Основными проблемами при
создании диэлектрических пленок для полупроводниковых приборов на основе
структур металл-диэлектрик-полупроводник, позволяющих управлять
параметрами приборов после их изготовления, являются:
— создание требуемой
оптимальной структуры диэлектрической пленки, обеспечивающей
эффективный захват электронов на ловушки;
— определение режимов
сильнополевой туннельной инжекции, позволяющих эффективно заполнять
электронные ловушки при минимальном увеличении плотности
положительного заряда и поверхностных состояний;
— обеспечение возможно
большего времени хранения инжектированного заряда.
Для изменения зарядового
состояния подзатворного диэлектрика МДП-структур использовалась
сильнополевая туннельная инжекция электронов из кремниевого и алюминиевого
электродов в режиме протекания постоянного инжекционного тока. В
качестве подзатворного диэлектрика, содержащего электронные ловушки,
использовался многослойный диэлектрик на основе двуокиси кремния и
слоев ФСС. Применение данного вида диэлектрика, с одной стороны,
позволило применить стандартный технологический процесс, а с другой
стороны — использовать уже имеющиеся данные о процессах зарядовой
деградации слоев в сильных электрических полях.
Выбор оптимальных режимов
инжекции заряда и структуры многослойного диэлектрика производился на
основе анализа результатов моделирования изменения зарядового
состояния МДП-структур в условиях туннельной инжекции с
использованием рассмотренных выше моделей.
Анализ изменения ВФХ при
инжекции электронов из кремния (положительная полярность
А1-электрода) показал, что наряду с накоплением отрицательного заряда
в пленке ФСС, приводящего к сдвигу С-V кривых
в сторону положительных напряжений, происходит увеличение плотности
поверхностных состояний и, следовательно, деградации границы раздела
Si—Si02, что может ухудшить параметры программируемых
приборов. На начальном этапе инжекции электронов из А1-элек-трода
изменение зарядового состояния МДП-структур характеризуется накоплением
отрицательного заряда в пленке ФСС без увеличения плотности
поверхностных состояний. Накопление отрицательного заряда
в
