тов в 5—6 раз. Термообработка
предназначена для отжига радиационно-индуцированного заряда в
МДП-структурах.
Наряду с выявлением потенциально
ненадежных МДП-структур ра_ диационные и ультрафиолетовые
излучения могут использоваться для корректировки пороговых напряжений
МДП-транзисторов. Рентгеновское излучение с энергией 10...20 кэВ
может применяться для изменения термостабильного заряда в слоях
двуокиси кремния с пятивалентной примесью. Для МДП-структур с
поликремниевыми затворами, легированными фосфором, неотжигаемая часть
изменения порогового напряжения составляет 30...70 % от общего изменения
порогового напряжения при облучении. Корректировка пороговых
напряжений может производиться и с использованием комбинированного
воздействия рентгеновского и ультрафиолетового излучений. Воздействие
ультрафиолетового излучения с энергией 4...6 эВ на МДП-структуры
позволяет регулировать величину неотжигаемой части изменения
порогового напряжения. Для корректировки пороговых напряжений может
применяться и гамма-излучение.
Создание полевых приборов на
основе МДП-структур, параметрами которых можно было бы управлять после их
изготовления, открывает новые возможности для применения их в
микроэлектронике. Одним из перспективных методов управления пороговым
напряжением МДП-транзисторов является изменение зарядового состояния
подзатворной системы, включающей в себя подзатворный диэлектрик с
электронными ловушками, заполнение которых производится с использованием
сильнополевой туннельной инжекции.
Инжекционная модификация может
применяться как для создания полупроводниковых приборов на основе
МДП-структур с изменяемыми параметрами, так и являться одним из методов
создания регулярного наноразмерного рельефа встроенного заряда вдоль
межфазовой границы раздела диэлектрик—полупроводник, который позволит
создавать кван-товоразмерные элементы наноэлектроники — квантовые ямы,
точки, проволоки, сверхрешетки [44].
В последние годы для
корректировки и изменения зарядового состояния полевых приборов и
интегральных схем на основе МДП-структур в процессе их изготовления были
разработаны методы, использующие ультрафиолетовое, рентгеновское и
гамма-излучения. Основным недостатком данных методов является то, что
при их применении воздействие осуществляется на все приборы,
находящиеся на пластине. Это исключает возможность индивидуальной подгонки
пороговых напряже-
