ния на МДП-структуре
Si—Si02—ФСС—А1 обусловлена накоплением положительного
заряда в пленке двуокиси кремния.
На основе рассмотренных моделей
зарядовой нестабильности МДП-структур были разработаны модели, позволяющие
исследовать процессы зарядовой нестабильности в локальных областях, в
том числе и субмикронных размеров, обладающих аномальными
характеристиками.
Анализ результатов работ,
связанных с инжекцией носителей в сильных электрических полях по
Фаулеру-Нордгейму, и исследование аналитических моделей зарядового
состояния МДП-структур [43] показали, что инжекция носителей может
применяться не только как метод ускоренных испытаний, но и как
процесс, позволяющий целенаправленно изменять электрофизические параметры
МДП-структур, т. е. осуществлять модификацию их свойств.
Модификация параметров двуокиси
кремния с использованием различных методов является одним из основных
направлений совершенствования характеристик диэлектрических слоев.
Используя воздействия различного вида, такие как ионноплазменные,
радиационные, магнито-импульсные, сильнополевые, лазерные, рентгеновские,
ультрафиолетовые и др., можно целенаправленно изменять свойства
диэлектрических слоев, улучшая те или иные параметры.
Специальные виды воздействий
применяются не только для направленного изменения электрофизических
свойств МДП-структур, но и для выявления дефектов диэлектрика и границы
раздела диэлектрик—полупроводник, в том числе и зарядовых.
Установлено, что воздействие импульсным магнитным полем (амплитуда
0,1...0,2 МА/м, длительность импульса 30 мкс) в течение 20 с позволяет
существенно, почти в три раза повысить плотность зарядовых дефектов,
выявляемую с помощью гистограмм зарядовой стабильности. Кроме того,
воздействие импульсным магнитным полем вызывает у МДП-структур
появление достаточно больших флуктуации плотности заряда в
диэлектрике. Эти флуктуации наиболее значительны в области
микродефектов, характеризующихся повышенной концентрацией напряженных
Si-Si и Si—О связей у границы раздела Si—Si02.
Для отбраковки потенциально
ненадежных МДП-структур применяется также радиационно-термическая
обработка, заключающаяся в воздействии на образцы гамма-квантов
Со60 дозой в несколько десятков крад и с последующей
термообработкой при температурах 150...200°С.
лучение гамма—квантами
активизирует процессы зарядовой нестабильности в областях дефектов и
повышает количество выявляемых дефек-
