Новые материалы

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Новые материалы

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 137 138 139 140 141 142 143... 734 735 736

	 НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ На рис. 2.11 приведены экспериментальные (изображенные значками) и расчетные (сплошные линии) зависимости напряжения на МДП-структурах Si-Si02-<PCC-Al (кривые 1, 2, 3, 7, 8, 9) и Si—Si02~Al (кривые 4, 5, 6) от заряда, инжектированного в диэлектрик, для раз­личных амплитуд токовых воздействий. При моделировании параметры модели накопления зарядов в Si02 и ФСС определялись из экспери­ментальных зависимостей, показанных на данном рисунке. Если параметры межзонной ударной ионизации в ФСС принимались равными параметрам в Si02, то расчетные кривые (7, 8, 9) для структур Si—Si02—ФСС—А1 значительно отличались от экспериментальных. Это указывает на то, что в слое ФСС, напряженность электрического поля в котором достигает 11 МВ/см, должно наблюдаться существенное ослаб­ление генерации дырок межзонной ударной ионизацией. Это может быть связано с изменением распределения горячих электронов по энер­гии в пленке ФСС, по сравнению с Si02, и, как следствие, уменьшени­ем вероятности протекания процесса межзонной ударной ионизации в ФСС, а также с уменьшением времени жизни дырок в ФСС. На осно­ве сопоставления результатов численного моделирования с эксперимен­тальными зависимостями была проведена оценка порогового поля удар­ной ионизации в ФСС, характеризующая напряженность электрического поля в диэлектрике, при которой в распределении электронов по энер­гии появляются высокоэнергети­ ческие хвосты с энергией боль­шей ширины запрещенной зоны Si02 [43]. Для совпадения ре­зультатов расчета с эксперимен­тальными данными пороговое поле ударной ионизации в ФСС должно быть > 9,8 МВ/см (см. рис. 2.11, кривые 1, 2, 3). Анализ модели зарядовой деградации и сопоставление ре­зультатов моделирования с экс­периментальными данными под­ тверждают, что при сильнополе­вой инжекции электронов из кремния импульсами постоянно­го тока полевая зависимость кинетики изменения напряже- ние. 2.11. Зависимости напряжения сдвига ВАХ МДП-систем от инжектированного в диэлектрик заряда при различных плотнос­тях тока, А/см2: 1, 4, 7- 1(г7; 2, 5, 8 - кг6; 3, 6, 9 - кг5 140 rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу