диэлектрике (МВ/см). Коэффициент
генерации дырок рассчитывался с использованием выражений,
предложенных в [6]:
где величины порогового поля
E"h и
коэффициента Р^
определяются как:
и
где tox — толщина слоя оксида.
Для толщины оксида > 30 нм параметры, входящие в
выражения
для Еф и
Ртр следующие: Е% = 6,4 МВ/см; td
= 8,2 нм; /, = 1,56 нм; Ро = 9- Ю-3 нм"1; Р, =
3 нм.
При толщине Si02 <
30 нм : E™h
= 3,8 МВ/см; td= 1,5 нм;
tx
- 21,6 нм;
Ро = 0;
Рх = 5,5 нм.
Изменение напряжения на
МДП-структуре, обусловленное захватом электронов на первичные
(существовавшие в исходном состоянии) ловушки Si02,
определяется следующим выражением:
где Хп —
положение центроида заряда, измеренное от границы Si—Si02;
at —
сечение захвата первичных ловушек; Nt — плотность
первичных электронных ловушек.
На основе рассмотренной модели
зарядовой деградации МДП-структур Si— Si02~А1 в [43] была
предложена модель зарядовой нестабильности МДП-структур с двухслойным
диэлектриком Si02—ФСС, в которой наряду с процессами зарядовой
нестабильности в двуокиси кремния учитывался также захват электронов на
ловушки в ФСС.
Общее изменение напряжения на
МДП-структуре Si— Si02—ФСС—А1, обусловленное зарядовой
деградацией, при постоянном токе инжекции описывается следующим
выражением: 
