В качестве примера рассмотрим
более подробно модель зарядовой деградации МДП-структур с толщиной
двуокиси кремния 10... 100 нм на начальном этапе инжекции заряда в
диэлектрик, разработанную для многослойных структур и анализа процессов
зарядовой деградации в локальных областях зарядовых дефектов, с
аномальными характеристиками зарядовой нестабильности [43]
.
В модели зарядовой деградации
МДП-структуры с Si02 учитывались следующие механизмы изменения
зарядового состояния диэлектрика: межзонная ударная ионизация в
Si02 с образованием электронно-дырочных пар и последующим
захватом дырок на ловушки в оксиде, а также захват инжектированных
электронов заполненными дырочными ловушками; захват электронов на
первичные электронные ловушки в Si02. Общее изменение
напряжения на МДП-системе с Si02, обусловленное зарядовой
деградацией при постоянном токе инжекции, равно:
где AVp и AVi — изменения напряжения на
МДП-структуре, обусловленные, соответственно, накоплением
положительного заряда и захватом электронов на первичные
ловушки в Si02.
Изменение напряжения,
обусловленное накоплением в оксиде положительного заряда,
определяется:
где Хр —
положение центроида положительного заряда, измеренное от границы
Si—Si02; р — плотность захваченных дырок.
Плотность захваченных дырок
находится путем численного решения методом Рунге—Кутта дифференциального
уравнения четвертого порядка:
