тронных ловушек, на это указывает
взаимосвязь потока дырок и генерации электронных
ловушек.
В электрохимической модели само
электрическое поле непосредственно вызывает появление электронных
ловушек, и процессы, обусловленные выделением энергии на аноде, не
связаны с генерацией ловушек. Механизм образования электронных ловушек в
данной модели основан на взаимодействии диполей в оксиде с электрическим
полем.
Модель высвобождения водорода,
которая уже частично рассматривалась выше, основана на том, что
инжектированные посредством тун-нелирования в оксид электроны достигают
анода с энергией, достаточной для высвобождения водорода у анодной
границы. Диффундируя сквозь оксид, освободившийся водород создает
электронные ловушки. Преимущество этой модели в том, что электронные
ловушки, аналогичные образующимся при стрессовом туннельном токе,
появляются и при обработке структур водородной плазмой. Вместе с тем и эта
модель не может объяснить некоторые экспериментальные
результаты.
Для МДП-систем с двухслойным
диэлектриком Si02—ФСС (фосфор-но-силикатное стекло) зарядовая
деградация при инжекционных нагрузках имеет ряд принципиальных
отличий. При сильнополевой инжекции заряда в полях 7...8 МВ/см наблюдается
накопление отрицательного заряда, которое связывается с захватом
инжектированных электронов на границе Si02—ФСС или в самой
пленке ФСС. Известно, что как при пассивации двуокиси кремния ФСС, так и
при ионной имплантации создаются электронные ловушки, но природа их до
конца не определена. В одних работах предполагается, что
инжектированные в диэлектрик электроны захватываются положительно
заряженными группами, образуемыми атомами фосфора при вплавлении
Р205 в тетраэдрическую решетку двуокиси кремния.
Число положительно заряженных групп может составлять около 1 % от числа
атомов кремния в Si02. В других работах отмечается, что
воздействие полярных молекул РС13 и РОС13 в процессе
получения пленки ФСС на решетку Si02 может привести к разрыву
химических связей между тетраэдрами и, как следствие, появлению
электронных ловушек, локализованных на границе раздела
Si02— ФСС. Появление электронных ловушек в слоях
двуокиси кремния, в которые фосфор вводился ионной имплантацией,
связывалось также с образованием связей Р—Si.
При увеличении электрических
полей > 9 МВ/см в двухслойном диэлектрике Si02—ФСС
происходит смена механизма образования отрицательного заряда на
генерацию положительного. Данное явление не на-
