щине оксида больше 30 нм на
энергетическом распределении горячих электронов появляются
высокоэнергетические хвосты, способные генерировать дырки межзонной
ударной ионизацией [40]. Под действием электрического поля эти дырки
движутся к катоду, приводя к образованию объемного положительного
заряда и генерации поверхностных состояний. Заполненные центры
захвата дырок в свою очередь могут захватывать инжектированные
электроны.
Одновременно с накоплением в
пленке Si02 положительного заряда начинает возрастать плотность
поверхностных состояний. Многочисленные исследования данного явления
показали, что увеличение плотности поверхностных состояний и генерация
положительного заряда тесно взаимосвязаны. В работах М.Фишетти также
предполагается, что ответственным за оба процесса зарядовой
деградации являются одни и те же структурные нарушения в пленке двуокиси
кремния у границы Si—Si02, что происходит, в основном, под
влиянием электронных процессов, которые стимулируются действием
электрического поля, вызывающего инжекцию заряда в
диэлектрик.
Заключительной стадией зарядовой
деградации МДП-систем при высокополевой инжекции заряда является
пробой подзатворного диэлектрика. В результате многочисленных
исследований было установлено, что определяющей причиной, приводящей
к пробою диэлектрической пленки, является накопление в Si02
положительного заряда. На базе данного
факта развиты несколько
теоретических моделей, позволяющих детально описать пробой
Si02. Так, в модели, предложенной К.Ченом и К. By, оксид
делится на два типа площадей. Первый тип — «слабая» площадь, где в конце
концов и происходит пробой, и вторая площадь — «крепкая», которая
согласно предлагаемой модели составляет основную часть оксида. В то
время как генерация ловушек и захват электронов происходит в обоих
типах площади, захват положительного заряда наблюдается только в
слабых площадях. Положительный заряд образуется в результате
генерации дырок межзонной ударной ионизацией
