ных работах, имеют принципиальные
отличия, что может быть также связано с отличиями экспериментальных
образцов и технологий их получения. В ряде работ образующийся при
протекании инжекционных токов положительный заряд идентифицировался как
«аномальный» положительный заряд. Он локализован у границы раздела
Si—Si02. Этот заряд не уничтожается электронами, захватываемыми
в оксиде, и может разряжаться или заряжаться почти реверсивно с большой
постоянной времени, при приложении положительного или отрицательного
смещения, соответственно. Поэтому данному «аномальному» компоненту
положительного заряда часто дается название — медленные
состояния.
Существует несколько
теоретических моделей, объясняющих образование положительного заряда.
Достаточно широко используется модель, основанная на явлении межзонной
ударной ионизации. Предполагается, что инжектированные в диэлектрик
электроны, попадая в зону проводимости, по мере своего движения могут
достичь энергии, равной или бульшей энергии запрещенной зоны двуокиси
кремния, после чего они способны вызвать межзонную ударную ионизацию, в
результате которой образуется электронно-дырочная пара с
низкоэнергетическим электроном. Образовавшиеся таким образом дырки под
действием приложенного электрического поля движутся к катоду и образуют в
прикатодной области положительный заряд. Однако образование
положительного заряда в тонких диэлектрических пленках, в электрических
полях < 6 МВ/см и недостаточных для возникновения межзонной ударной
ионизации, потребовало привлечения других теоретических моделей,
объясняющих генерацию положительного заряда.
В работах М.Фишетти была
предложена модель, в которой предполагается, что инжектированные в
диэлектрик электроны вызывают возбуждение электронно-дырочной
подсистемы Si02, в результате чего в ней могут происходить
структурные изменения, приводящие к появлению положительного заряда.
Для объяснения генерации положительного заряда наряду с механизмом
межзонной ударной ионизации привлекался механизм ловушечно-зонной
ударной ионизации, требующий для своей реализации наличия электронов с
энергией, большей или равной глубине ловушки.
Накопление положительного заряда
связывают также с инжекцией в диэлектрик МДП-систем дырок и последующим их
захватом на ловушки в Si02. Причем инжекция дырок может
происходить за счет возбуждения дырочной подсистемы под действием
облучения светом и снижения высоты потенциального барьера для
туннелирования дырок из кон-
