ворного диэлектрика интегральных
МДП-транзисторов. Поэтому возрастает роль процессов в МДП-структурах,
связанных с влиянием сильных электрических полей.
Сильнополевая инжекция заряда в
подзатворный диэлектрик МДП-структур сопровождается их постепенной
деградацией, заканчивающейся пробоем диэлектрика. Инжекционная
деградация является одной из основных причин отказов полупроводниковых
приборов с МДП-струк-турой, работающих в критических режимах - при
повышенных напряжениях, в условиях лавинной или туннельной инжекции,
ионизирующего облучения, импульсного магнитного поля и т. д. Все это
обусловливает повышенное внимание, уделяемое в последнее время
изучению процессов инжекционной деградации в МДП-системах.
При деградации МДП-систем с
термической Si02 в качестве диэлектрика при сильнополевой
инжекции заряда наблюдается, как правило, захват заряда в оксиде,
возрастание концентрации поверхностных состояний, изменение
генерационно-рекомбинационных характеристик поверхности кремния и т.
д. В результате многолетних теоретических и экспериментальных
исследований установлено, что при протекании тока туннельной инжекции
наблюдаются следующие основные процессы: происходит захват электронов
на уже существующие и вновь создаваемые ловушки; наблюдается накопление
положительного заряда; возрастает плотность поверхностных
состояний.
Главным механизмом, определяющим
зарядовую деградацию пленки Si02 при сильнополевой туннельной
инжекции, является накопление в ней положительного заряда. Изучению
данного заряда посвящено большое количество работ, поскольку он не
только приводит к зарядовой нестабильности диэлектрика, но и, по всей
видимости, является ответственным за пробой диэлектрической пленки.
Однако до настоящего времени механизм генерации положительного заряда не
нашел своего окончательного объяснения. Это связано, с одной стороны, с
отсутствием надежных и исчерпывающих экспериментальных данных, что
выражается в противоречиях между публикуемыми результатами.
Считается, что положительный заряд локализован у границы раздела, в то
время как другие авторы предполагают, что положительный заряд
накапливается в объеме Si02. С другой стороны, факторами,
усложняющими анализ экспериментальных данных, являются захват
электронов на ловушки, протекающий одновременно с генерацией
положительного заряда, и увеличение плотности поверхностных состояний. В
результате, параметры и характеристики положительных зарядов,
наблюдавшихся в различ-
