заряда при постоянном напряжении
требуется меньшее время, по сравнению с режимом постоянного тока.
Режим инжекции заряда постоянным напряжением для МДП-структур с
Si02 является более жестким поскольку он приводит к большей
зарядовой деградации диэлектрика и увеличивает вероятность пробоя
структуры.
При сильнополевой инжекции заряда
в диэлектрик МДП-структур, содержащий электронные ловушки, например
Si02-<t>CC (фосфорно-силикатное стекло), в режиме
постоянного напряжения наблюдается меньшая полевая зависимость напряжений
сдвига ВАХ, чем в режиме постоянного тока. Следовательно, режим
постоянного тока для таких структур является более жестким по сравнению с
режимом постоянного напряжения, в то же время использование этого режима
позволяет в несколько раз уменьшить время проведения инжекционных
исследований. Однако особенности режимов инжекции заряда в диэлектрик
в настоящее время не всегда учитываются при проведении инжекционных
исследований и интерпретации полученных результатов.
Из проведенного анализа
сильнополевой туннельной инжекции в МДП-структурах следует, что из ВАХ и
временных зависимостей напряжения на структурах могут быть
определены: высота потенциального барьера на инжектирующей границе
раздела; толщина диэлектрика; положение центроида заряда диэлектрика;
плотность захваченного заряда; сечения захвата электронных или
дырочных ловушек. Важной отличительной чертой сильнополевой
туннельной инжекции заряда в диэлектрик является то, что она
позволяет оценивать как изолирующие характеристики диэлектрических слоев,
так и зарядовые. Это дает возможность при использовании сильнополевой
туннельной инжекции в исследованиях и контроле инжекционностойких
диэлектрических пленок в МДП-системах осуществить единый подход к изучению
дефектности изоляции и дефектности зарядовой стабильности.
Процессы деградации
МДП-систем в сильных электрических полях
Сильные электрические поля,
туннельная инжекция носителей оказывают существенное влияние на
зарядовое состояние МДП-структур. Повышение интереса к исследованию
процессов зарядовой нестабильности МДП-структур в условиях инжекции
носителей в настоящее время связано с тем, что с повышением степени
интеграции МДП-БИС происходит уменьшение длины каналов и толщины
подзат-
