те же параметры МДП-структуры,
что и при заряде емкости. Это дает возможность оценить изменение
характеристик МДП-структур под действием туннельной инжекции в одном
измерительном цикле.
Такой способ получения ВФХ и ВАХ
характеристик, в рамках одного метода, позволил контролировать
параметры зарядовой деградации сразу после туннельной инжекции, снизив
влияние релаксационных процессов. Последующая реализация предложенного
алгоритма при противоположной полярности токовых воздействий
позволяет определить плотность, сечение захвата зарядовых ловушек и
положение центроида заряда в диэлектрике.
При применении метода
сильнополевой туннельной инжекции в режиме постоянного тока
подзатворный диэлектрик характеризуется совмещенными гистограммами
распределения структур по напряжению микропробоя Умп
и по заряду, инжектированному в диэлектрик QfV (рис.
2.9).
Гистограммы распределения
структур по заряду, инжектированному до пробоя, построены для МДП-структур
из главного пика гистограммы распределения по напряжению микропробоя.
Построение таких совмещенных гистограмм наглядно показывает как
характеристики дефектности изоляции диэлектрика МДП-структур, так и
характеристики дефектности зарядовой стабильности и комплексно
характеризуют качество подзатворного диэлектрика.
Туннельная инжекция заряда в
диэлектрик может осуществляться как в режиме постоянного тока, так и в
режиме постоянного напряжения. В первом случае в процессе инжекции
постоянным остается катодное электрическое поле, а во втором
-анодное. Поскольку на процессы накопления зарядов диэлектрика
существенное влияние оказывают локальные электрические поля и их
изменение в ходе инжекции, то в общем случае изменение зарядового
состояния диэлектрика должно зависеть от режима инжекции носителей. В
МДП-структурах с Si02 в сильных электрических Рис' Совмещенные гистограммы распре-полях для
инжекции В лиэлект
Деления мдп-структур по напряжению мик-ПМ1, дплл^м ропробоя и по
заряду, инжектированному до
рик
одной и той же
величины пробоя
