Новые материалы

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Новые материалы

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 122 123 124 125 126 127 128... 734 735 736

	 МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ токовой нагрузки, основанный на анализе временной зависимости на­пряжения на МДП-структуре при подаче на нее токовой нагрузки [39]. Данный метод основан на распространении возможностей метода кон­троля дефектности диэлектрических слоев по измерениям напряжения микропробоя на участок сильнополевой туннельной инжекции ВАХ, реализации измерения напряжения микропробоя в рамках метода ин­жекции заряда в диэлектрик импульсом постоянного тока и расшире­ния информативности данного метода в области низких и высоких полей. Временные диаграммы токов и напряжений в предлагаемом методе приведены на рис. 2.8 ( 1С - емкостной ток; Iinj ~ ток инжекции). Пер­воначально МДП-структуру заряжают импульсом постоянного тока, пе­реводя ее в состояние аккумуляции или глубокой инверсии (см. рис. 2.8, участок /). Затем полярность токового импульса изменяют на противо­положную и структура начинает перезаряжаться (см. рис. 2.8, участок 2). На этом участке из временной зависимости напряжения на структуре Vj (?) можно получить зависимость емкости от напряжения, которая будет являться низкочастотной вольт-фарадной характеристикой. Емкость МДП-структуры будет обратно пропорциональна производ­ной временной зависимости напряжения на структуре от времени. При заряде МДП-структуры импульсом постоянного тока /0 временная за­висимость поверхностного потенциала cp^t) будет описываться выраже­нием: (2.2) где т — время; С; — емкость диэлектрика; А — постоянная интегрирова­ния, определяемая так же, как в методе низкочастотных ВФХ. Использование (2.2) позволяет получить зависимость поверхностного потенциала от напряжения на структуре без применения интегрирова­ния, необходимого для метода низкочастотных ВФХ. Из зависимости напряжения на структуре от времени может быть также определена дифференциальная плотность поверхностных состояний. Применение известных методик нахождения параметров МДП-струк-тур по низкочастотным ВФХ позволяет определить при заряде МДП-структуры постоянным током в области низких полей: напряжение плос­ких зон, напряжение инверсии, эффективный заряд диэлектрика, ем­кость диэлектрика, толщину диэлектрической пленки. В области сильных электрических полей (см. рис. 2.8, участок 3), когда начинается инжекция заряда в диэлектрик, учет заряда емкости 125 rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу