позволяет определить наличие в
МДП-структурах локальных областей с аномально низкой зарядовой
стабильностью, которые делают их потенциально
ненадежными.
Метод контроля дефектности
зарядовой стабильности по заряду, инжектированному в диэлектрик
до пробоя, позволяет выявлять МДП-структуры с локальными неоднородностями,
обусловленными повышенной зарядовой нестабильностью. Данные дефекты
могут определяться как локальным повышением плотности тока в области
дефекта, так и аномальными характеристиками накопления зарядов в
диэлектрике: сечениями захвата носителей; концентрацией электронных и
дырочных ловушек. Однако этот метод контроля заряда не позволяет оценивать
характеристики структур, имеющих дефекты изоляции, оказывающие
существенное влияние на ВАХ МДП-структур. Такие структуры будут иметь
минимально фиксируемый заряд, инжектированный до пробоя, независимо от
параметров дефектов изоляции.
Различная направленность методов
контроля диэлектрических слоев приводила к тому, что значительная доля
структур с дефектами, ухудшающими изолирующие свойства, и с локальной
повышенной нестабильностью зарядов диэлектрика выпадала из
рассмотрения. Было затруднено сопоставление, а следовательно, и
интерпретация результатов контроля, полученных различными методами. Причем
в большинстве случаев параметры дефектности изоляции и зарядовой
стабильности не могли быть определены на одной и той же
структуре.
Данные трудности могут быть
сняты, если исследовать явления дефектности изоляции и зарядовой
стабильности с использованием одного метода, позволяющего оценивать
как характеристики дефектов, ухудшающие изолирующие свойства, так и
процессы зарядовой нестабильности и комплексно характеризовать
МДП-структуру.
В качестве такого метода
применяется сильнополевая туннельная ин-жекция заряда в диэлектрик,
проводимая в режиме постоянного тока. В отличие от лавинной, режимы
туннельной инжекции не зависят от характеристик области
пространственного заряда полупроводника и определяются только
параметрами границ раздела и самого диэлектрика. Использование туннельной
инжекции позволяет точно дозировать ин-жекционную нагрузку структур и не
требует создания специальных структур с инжекторами, т.е. она может
проводиться в процессе формирования подзатворного диэлектрика до
проведения металлизации.
Для реализации единого подхода к
контролю дефектности изоляции и дефектности зарядовой стабильности был
разработан метод управляемой
