Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 120 121 122 123 124 125 126... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ |
|
|
|
|
|
автоматизированных систем
контроля качества производства. Применение данного метода позволяет
обеспечить экспрессность контроля, причем обработка экспериментальных
данных не требует применения сложного математического аппарата.
Достоинством измерения напряжения пробоя как метода контроля дефектности
подзатворного диэлектрика является и то, что в этом случае получают
количественную характеристику качества процесса получения диэлектрика
МДП-БИС. Кроме того, результаты измерения Кпр позволяют не
только производить разбраковку структур, но и прогнозировать их
надежность, что особенно важно при изготовлении схем специального
назначения.
Одним из наилучших способов
фиксирования напряжения пробоя, с точки зрения неразрушаемости, является
определение напряжения пробоя при достижении током, идущим через
структуру, определенной величины, также имеется возможность точно
определять энергетическую нагрузку структуры. Измерение напряжения пробоя
при этом производится для МДП-структур, содержащих грубые дефекты,
оказывающие существенное влияние на ВАХ, на стадии развития пробоя, а для
МДП-структур, не содержащих грубых дефектов, на участке ВАХ,
соответствующем сильнополевой туннельной инжекции. Кроме того, данный
способ позволяет менять уровень воздействия на структуру и может
использоваться для создания определенных токовых перегрузок.
Напряжение, измеренное таким способом, не является, строго говоря,
напряжением пробоя структуры, поэтому оно в дальнейшем будет называться
напряжением микропробоя. Этот термин применяется в отраслевых
стандартах, русскоязычной патентной и научно-технической литературе.
В англоязычной научно-технической литературе данный параметр
называется «leakage voltage», что в переводе означает «напряжение,
соответствующее заданному току утечки». При реализации других способов
фиксирования напряжения пробоя энергия, выделяющаяся в тонкопленочном
диэлектрике, определяется в основном свойствами исследуемых структур
и в меньшей степени зависит от параметров измерительного устройства, что
затрудняет обеспечение режимов неразрушающего контроля напряжения
пробоя.
Наряду с дефектностью изоляции,
которая оценивается распределениями структур по напряжению пробоя или
микропробоя, в последнее десятилетие для оценки качества МДП-структур и
технологических процессов их получения стали использовать такую
характеристику, как зарядовая дефектность. Она оценивается по
распределениям МДП-струк-тур по заряду,
инжектированному в диэлектрик до пробоя образца, и |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 120 121 122 123 124 125 126... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
