Новые материалы

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Новые материалы

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 119 120 121 122 123 124 125... 734 735 736

	 НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ термополевых, радиационных, ионноплазменных или инжекционных воздействий определять положение центроида заряда в диэлектрике, а следовательно, и плотность заряда. При осуществлении сильнополевой туннельной инжекции происходит заполнение электронных и дырочных ловушек, локализованных в диэ­лектрической пленке. По изменению напряжения на МДП-структуре в процессе инжекции или прерывая процесс инжекции, используя мето­ды вольт-фарадных характеристик или ВАХ-фотоинжекции, определяют заряд диэлектрика и получают зависимость заряда, захваченного на ло­вушки в диэлектрической пленке Qox, от величины заряда, инжектиро­ванного в диэлектрик, . Анализируя экспериментальную за­висимость и используя соответствующую теоретическую модель, описывающую кинетику заполнения ловушечных центров, оп­ределяют сечение захвата ловушек. Во многих случаях для описания процессов заполнения ловушечных центров используют простую модель, основанную на следующем урав­нении: где Qoi — плотность заряда в оксиде при полном заполнении ловушек с сечением захвата о,-. Затем с учетом экспериментальной зависимости Qox = f(Qinj) строят график \n{&Qox/dt) как функцию от величины инжектированного заряда. Величина сечения захвата at находится из наклона прямой ln(dQox/dO = = f(Qj„p на конечном участке Qox(t), а величина QQi — из отрезка, отсе­каемого этой прямой на оси \n(dQox/dt). Затем, построив график функ­ции Qoi[l - ехр(-а/0/ ■(/)/?)] и проведя вычитание его из кривой QJ^t), получают новую зависимость, из которой по аналогичной схеме могут быть найдены параметры Qoi и о- для ловушек со все большими сече­ниями захвата. Одним из основных методов контроля дефектности МДП-структур, применяемых в условиях массового производства интегральных схем, является метод измерения напряжения пробоя Vnp, поскольку он удовлет­воряет большинству требований к методам контроля, используемым в современном производстве МДП-БИС. Измерения напряжения пробоя производятся в нормальных условиях и могут быть сравнительно легко автоматизированы, средства измерения Кпр могут работать в составе 122 rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу