трудоемкости, возможность
реализации в автоматизированных системах операционного
контроля.
Рассмотрим получение основных
параметров МДП-структур, определяемых зависимостью туннельного тока
от напряжения.
Экспериментальные зависимости
туннельного тока от напряженности катодного электрического поля
принято рассматривать в координатах Фаулера-Нордгейма 
.
По наклону полученной прямой определяют высоту потенциального барьера
на инжектирующей границе раздела.
Из зависимости плотности тока от
напряжения при известной высоте потенциального барьера может быть
определена толщина пленки диэлектрика Тох с
применением итерационного метода расчета, предложенного X.
Аймеришем-Хаметом и Ф. Кампабадалом и основанного на использовании
выражения:
где V — напряжение
на МДП-структуре; / — ток, протекающий через структуру;
SMm — площадь МДП-структуры.
Аналогичный метод расчета
толщины диэлектрика по значениям тока и напряжения одной точки ВАХ был
предложен Р.Каллигаро.
На зависимость туннельного тока
от напряжения существенное влияние оказывают плотности зарядов,
захваченных в диэлектрике, и места их локализации. Положительный заряд в
диэлектрике МДП-структуры сдвигает ВАХ в сторону меньших напряжений,
отрицательный — в сторону больших. Поэтому сдвиг ВАХ МДП-структур по
оси напряжений может характеризовать изменение зарядового состояния
диэлектрика. Если предположить, что в диэлектрической пленке накапливаются
положительный заряд плотностью р, центроид которого находится
на расстоянии Хр от границы раздела
диэлектрик—полупроводник, и отрицательный плотностью N с
положением центроида Хп, то сдвиг ВАХ МДП-структуры
будет описываться следующим выражением:
Измеряя ВАХ МДП-структур при
положительной и отрицательной полярностях металлического электрода, можно
по сдвигу ВАХ после
